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TC58NVG1S3ETAI0 +BOM

25ns Parallel NAND

  • Produttore:

    Kioxia America, Inc.

  • ProduttorePart #:

    TC58NVG1S3ETAI0

  • Scheda dati:

    TC58NVG1S3ETAI0 Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Programmabe:

    Verified

  • Memory Type:

    Non-Volatile

  • Memory Format:

    FLASH

  • Technology:

    FLASH - NAND (SLC)

TC58NVG1S3ETAI0 Descrizione generale

The TC58NVG1S3ETAI0 NAND flash memory chip from KIOXIA is a reliable and cost-effective solution for storage in a variety of devices. With a capacity of 64 gigabits and 3-bit per cell technology, it provides ample storage space while keeping costs down. Its 3.3V voltage and Toggle DDR interface ensure high-speed data transfer, making it ideal for use in solid-state drives, memory cards, and other storage applications

Caratteristiche principali

  • Organization  Memory cell array 2112 × 128K × 8  Register 2112 × 8  Page size 2112 bytes  Block size (128K + 4K) bytes Modes  Read, Reset, Auto Page Program, Auto Block Erase, Status Read, Page Copy,  Multi Page Program, Multi Block Erase, Multi Page Copy, Multi Page Read Mode control  Serial input/output  Command control Number of valid blocks  Min 2008 blocks  Max 2048 blocks Power supply  VCC = 2.7V to 3.6V Access time  Cell array to register 25 μs max  Serial Read Cycle 25 ns min (CL=100pF) Program/Erase time  Auto Page Program 300 μs/page typ.  Auto Block Erase 2.5 ms/block typ. Operating current  Read (25 ns cycle) 30 mA max.  Program (avg.) 30 mA max  Erase (avg.) 30 mA max  Standby 50 μA max

Applicazione

  • Solid-State File Storage Voice Recording Image File Memory

Specifiche

Programmabe Verified Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH Technology FLASH - NAND (SLC)
Memory Size 2Gbit Memory Organization 256M x 8
Memory Interface Parallel Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Access Time 25 ns Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number TC58NVG1

Politiche di servizio e altro

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