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Vedi Specifiche Tecniche

TC58BVG1S3HTA00 +BOM

CMOS NAND EEPROM, 2 Gbit, 3.3V EEPROM

Produttore:

Kioxia America, Inc.
ProduttorePart #:

TC58BVG1S3HTA00
Scheda dati:

TC58BVG1S3HTA00 Scheda dati (PDF)
Programmabe:

Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FLASH
Technology:

FLASH - NAND (SLC)
EDA/CAD Modelli:

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TC58BVG1S3HTA00 Descrizione generale

With its impressive specifications and advanced features, the TC58BVG1S3HTA00 NAND flash memory chip stands out as a reliable and efficient solution for various storage applications. Its high-speed interface, error correction technology, and wear-leveling algorithms make it an ideal choice for manufacturers seeking to enhance the performance and durability of their electronic products. This versatile chip is well-equipped to handle the demands of modern data storage, providing a seamless experience for users and ensuring the integrity and longevity of stored data

Caratteristiche principali

Organization x8 Memory cell array 2112 × 128K × 8 Register 2112 × 8 Page size 2112 bytes Block size (128K + 4K) bytes

Specifiche

Programmabe	Verified	Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	Technology	FLASH - NAND (SLC)
Memory Size	2Gbit	Memory Organization	256M x 8
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	-
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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