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TC58BVG1S3HBAI6 +BOM

2Gbit flash memory chip with 24nm technology and on-chip ECC logic, operating voltage range of 2.7V to 3.6V

TC58BVG1S3HBAI6 Descrizione generale

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)

Specifiche

Series Benand™ Programmabe Not Verified
Memory Type Non-Volatile Memory Format FLASH
Technology FLASH - NAND (SLC) Memory Size 2Gbit
Memory Organization 256M x 8 Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word, Page 25ns Access Time 25 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Base Product Number TC58BVG1

Politiche di servizio e altro

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