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SSM6N357R +BOM
Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.65A Automotive T/R
TSOP-6-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
SSM6N357R
-
Scheda dati:
-
Pin Count:
6
-
Released Date:
Dec 27, 2022
-
Last Modified Date:
Mar 7, 2023 4:10 PM UTC
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 4238 PZ
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SSM6N357R Descrizione generale
The SSM6N357R from Toshiba is a MOSFET with Continous Drain Current 0.65 A, Drain Source Resistance 800 to 2400 Milliohm, Drain Source Breakdown Voltage 60 V, Gate Source Voltage -12 to 12 V, Gate Source Threshold Voltage 1.3 to 2 V. Tags: Surface Mount.
Caratteristiche principali
- 60 V, 1.5 nC, N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- N-Channel
- TSOP6F
Specifiche
Pin Count | 6 | Released Date | Dec 27, 2022 |
Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
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In Stock: 4.238
Minimum Order: 1
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