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SKP02N60 +BOM

N-Channel IGBT for robust DC-DC conversion applications

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

SKP02N60
Scheda dati:

SKP02N60 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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SKP02N60 Descrizione generale

IGBT NPT 600 V 6 A 30 W Through Hole PG-TO220-3-1

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKP02N60	Continuous Collector Current Ic Max	6 A
Height	9.25 mm	Length	10 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	IGBTs	Width	4.4 mm
Part # Aliases	SP000683136 SKP02N60XK SKP02N60XKSA1	Unit Weight	0.211644 oz

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