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SiC638CD-T1-GE3

50 A VRPower® Integrated Power Stage

Produttore:

Vishay Intertechnology, Inc
ProduttorePart #:

SiC638CD-T1-GE3
Scheda dati:

SiC638CD-T1-GE3 Scheda dati (PDF)
Series:

VRPower®
Output Configuration:

Half Bridge (2)
Applications:

Synchronous Buck Converters
Interface:

PWM
EDA/CAD Modelli:

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SiC638CD-T1-GE3 Descrizione generale

Half Bridge (2) Driver Synchronous Buck Converters Power MOSFET PowerPAK® MLP55-31L

Caratteristiche principali

Thermally enhanced PowerPAK® MLP55-31L package

Vishay’s Gen IV MOSFET technology and a low side MOSFET with integrated Schottky diode

Delivers up to 50 A continuous current

High efficiency performance

High frequency operation up to 1.5 MHz

Power MOSFETs optimized for 19 V input stage

3.3 V, 5 V PWM logic with tri-state and hold-off

Zero current detect control for light load efficiency improvement

Low PWM propagation delay (< 20 ns)

Faster disable

Thermal monitor flag

Under voltage lockout for VCIN

Vishay Intertechnology, Inc Stock originale

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)Power Management (PMIC)Full Half-Bridge Drivers	Series	VRPower®
Output Configuration	Half Bridge (2)	Applications	Synchronous Buck Converters
Interface	PWM	Load Type	Inductive, Capacitive
Technology	Power MOSFET	Rds On (Typ)	-
Current - Output / Channel	50A	Current - Peak Output	-
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Voltage - Load	4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	Features	Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Fault Protection	Shoot-Through, UVLO	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SIC638

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