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RM25C512C-LSNI-B +BOM

This ultra-low-power CBRAM memory IC offers flexible design options and high densit

Produttore:

Renesas Electronics Corporation
ProduttorePart #:

RM25C512C-LSNI-B
Scheda dati:

RM25C512C-LSNI-B Scheda dati (PDF)
Series:

Mavriq™
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

CBRAM®

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

RM25C512C-LSNI-B Descrizione generale

CBRAM Memory IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC

Specifiche

Series	Mavriq™	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	CBRAM®
Technology	CBRAM	Memory Size	512Kbit
Memory Organization	128 Bytes Page Size	Memory Interface	SPI
Clock Frequency	20 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	100µs, 5ms
Voltage - Supply	1.65V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	RM25C512

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