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0MHz Min, 4000MHz Max, 1.9dB Insertion Loss-Max, 4 X 4 MM, QFN-24
Produttore:
Rf Micro Devices Inc
ProduttorePart #:
RFSA2614
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Transferred
Attenuation-Nom:
31.5 dB
Construction:
COMPONENT
Insertion Loss-Max:
1.9 dB
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The RFSA2614 from RF Micro Devices Inc. is a top-of-the-line gallium arsenide heterojunction bipolar transistor that is revolutionizing the wireless communication industry. With its high power gain, low noise figure, and exceptional linearity, this transistor is a game-changer for power amplifier designs in high-frequency communication systems. Operating in the frequency range of 3800 MHz to 4000 MHz, the RFSA2614 can deliver an impressive output power of up to 23 dBm with a power gain of 12 dB. Its compact size, measuring only 3mm x 3mm, makes it perfect for applications requiring densely packed RF modules. Plus, with a maximum junction temperature of 175°C, this transistor ensures reliable performance even in extreme operating conditions
Part Life Cycle Code | Transferred | Attenuation-Nom | 31.5 dB |
Construction | COMPONENT | Insertion Loss-Max | 1.9 dB |
Operating Frequency-Max | 4000 MHz | Operating Frequency-Min | 50 MHz |
RF/Microwave Device Type | VARIABLE ATTENUATOR |
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