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RBR3L30BDDTE25 +BOM

Schottky Diodes & Rectifiers DIODE-SCHOTTKY BARRIER

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

RBR3L30BDDTE25
Scheda dati:

RBR3L30BDDTE25 Scheda dati (PDF)
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

30 V
Current - Average Rectified (Io):

3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

530 mV @ 3 A

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

RBR3L30BDDTE25 Descrizione generale

Diode 30 V 3A Surface Mount PMDS

Caratteristiche principali

Small power mold type (PMDS)
High reliability
Low V
F

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	-
Technology	Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30 V
Current - Average Rectified (Io)	3A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	530 mV @ 3 A
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Current - Reverse Leakage @ Vr	80 µA @ 30 V
Capacitance @ Vr, F	-	Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature - Junction	150°C	Base Product Number	RBR3L30

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