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PT501 +BOM

Compact metal package for space-sensitive desig

Produttore:

Sharp Microelectronics
ProduttorePart #:

PT501
Scheda dati:

PT501 Scheda dati (PDF)
Peak Wavelength:

800 nm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
Dark Current:

100 nA
Rise Time:

10 us
EDA/CAD Modelli:

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PT501 Descrizione generale

Phototransistors 800nm Top View TO-18-2 Metal Can

Caratteristiche principali

1. Narrow acceptance (∆θ : TYP. ± 6˚ )
2. TO -18 type standard package
3. With base terminal : PT510

Specifiche

Product Category	Phototransistors	Peak Wavelength	800 nm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Dark Current	100 nA
Rise Time	10 us	Fall Time	10 us
Pd - Power Dissipation	75 mW	Minimum Operating Temperature	- 25 C
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Half Intensity Angle Degrees	6 deg
Height	6.8 mm	Length	5.7 mm
Product Type	Phototransistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	Optical Detectors and Sensors	Type	Phototransistor
Width	5.7 mm

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