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PMBF4391 +BOM

PMBF4391 features an N-channel JFET design, rated for 50mA at 20V, with a power dissipation of 250mW and a drain-source resistance of 30Ω

Produttore:

NXP Semiconductor
ProduttorePart #:

PMBF4391
Scheda dati:

PMBF4391 Scheda dati (PDF)
V<sub>DS</sub> [max] (V):

40
R<sub>DSon</sub> [max] (ohm):

30
FET Type:

N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):

40 V
EDA/CAD Modelli:

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PMBF4391 Descrizione generale

JFET N-Channel 40 V 250 mW Surface Mount TO-236AB

Caratteristiche principali

Interchangeable drain and source connections
Small package
Target Applications
Low-power chopper
Switching
Thick and thin-film circuits

Specifiche

V<sub>DS</sub> [max] (V)	40	R<sub>DSon</sub> [max] (ohm)	30
Series	-	FET Type	N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	40 V	Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	50 mA @ 20 V	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	4 V @ 1 nA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V	Resistance - RDS(On)	30 Ohms
Power - Max	250 mW	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount

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