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PIMT1,115 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 100mA 100MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

PIMT1,115
Scheda dati:

PIMT1,115 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelli:

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PIMT1,115 Descrizione generale

PNP transistor pair in an SC-74 (SOT457) plastic package.

Caratteristiche principali

Simplified testing and validation process for improved quality control
Reduced production costs and inventory requirements
Faster time-to-market and reduced development costs
Improved reliability through AEC-Q101 qualification

Applicazione

Must-have for electronics.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	600 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	120 at 1 mA, 6 V	Height	1 mm
Length	3.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.7 mm
Part # Aliases	934056662115	Unit Weight	0.000381 oz

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