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PEMT1,315 +BOM

PNP/PNP double transistor in a SOT666 ultra small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PEMX1

PEMT1,315 Descrizione generale

PNP/PNP double transistor in a SOT666 ultra small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PEMX1

Nexperia inventario

Caratteristiche principali

  • 300 mW total power dissipation
  • Very small 1.6 x 1.2 mm ultra thin package
  • Self alignment during soldering due to straight leads
  • Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area
  • Reduced required PCB area
  • Reduced pick and place costs.
Nexperia Stock originale

Applicazione

  • General purpose switching and amplification.
Nexperia inventario

Specifiche

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity PNP Configuration Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 40 V Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V Collector-Emitter Saturation Voltage 200 mV
Maximum DC Collector Current 200 mA Pd - Power Dissipation 300 mW
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Continuous Collector Current - 100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min 120 Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 8000 Subcategory Transistors
Technology Si Part # Aliases 934056707315
Unit Weight 0.000095 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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Garanzia Garanzia

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