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PCGA200T65NF8M1 +BOM

onsemi IGBT 650 V, 200 A Field Stop Trench Gen3 (FS3) Bare Die with Solderable/Sinterable Top Metal. Pairing with PCRKA20065F8M1

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

PCGA200T65NF8M1
Scheda dati:

PCGA200T65NF8M1 Scheda dati (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

MTFRM
EDA/CAD Modelli:

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PCGA200T65NF8M1 Descrizione generale

This 650V Field Stop Trench Gen3 (FS3) IGBT bare die has a die size of 10mm x 10mm. Its emitter pads are covered with Ni/Ag solderable/sinterable top metal, which enables advanced power module assembly technologies for emittering connection, including Ag Sintering and Cu bare soldering, etc.

Caratteristiche principali

AEC-Q101 Qualified
Maximum Junction Temperature 175°C
Positive Temperature Coefficient
Very Low Saturation Voltage: VCE(SAT) = 1.53V(Typ.) @ IC = 200A
Short Circuit Rated
Final Solderable Metal Layer

Applicazione

Automotive Traction Modules
General Power Modules

Specifiche

Status	Active	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	MTFRM

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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