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Vedi Specifiche Tecniche

N25Q128A11EF840F +BOM

32 Megabyte by 4 Configuration of NOR Flash Memory in Very Thin Small Leadless Package

Produttore:

MICRON
ProduttorePart #:

N25Q128A11EF840F
Scheda dati:

N25Q128A11EF840F Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per N25Q128A11EF840F

Caratteristiche principali

The N25Q128A11EF840F has a high-speed programming capability for large data transfer
It features a sector size of 4KB and page programming of 256 bytes
Furthermore, it includes a unique self-boot mechanism to support secure booting

Applicazione

Efficient memory management
Multi-functional device
Smooth operation interface

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.51	Clock Frequency-Max (fCLK)	108 MHz
Data Retention Time-Min	20	Endurance	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 Code	R-PDSO-N8	Length	8 mm
Memory Density	134217728 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	1	Number of Functions	1
Number of Terminals	8	Number of Words	134217728 words
Number of Words Code	128000000	Operating Mode	SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Organization	128MX1	Parallel/Serial	SERIAL
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Programming Voltage	3 V
Qualification Status	Not Qualified	Seated Height-Max	1 mm
Serial Bus Type	SPI	Standby Current-Max	0.00001 A
Supply Current-Max	0.02 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	2 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	NO LEAD
Terminal Pitch	1.27 mm	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Type	NOR TYPE
Width	6 mm	Write Protection	HARDWARE/SOFTWARE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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