Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

MT53E1G16D1FW-046 AAT:A +BOM

LPDDR4 DRAM, 128MX32, CMOS, PBGA200

MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Descrizione generale

Take your mobile device to the next level with the Micron MT53E1G16D1FW-046 AAT:A DRAM module. This high-performance LPDDR4 memory features a 16Gbit capacity and a clock frequency max of 2.133Ghz, providing seamless multitasking and smooth operation for your device. The TFBGA package with 200 pins ensures easy installation and a secure connection to your system, while the 1.1V supply voltage offers efficient power management. With RoHS compliance, this DRAM chip meets stringent environmental regulations, making it a sustainable choice for your mobile device upgrade

Micron inventario
Micron Stock originale
Micron inventario

Specifiche

Product Category DRAM Type SDRAM Mobile - LPDDR4
Mounting Style SMD/SMT Data Bus Width 16 bit
Organization 1 G x 16 Memory Size 16 Gbit
Maximum Clock Frequency 2.133 GHz Supply Voltage - Max 1.1 V
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 105 C
Series 130S Moisture Sensitive Yes
Product Type DRAM Factory Pack Quantity 1360
Subcategory Memory & Data Storage

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

payment Pagamento

Metodo di pagamento

hsbc
TT/bonifico bancario
paypal
PayPal
wu
Western Union
mg
Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]
spedizione Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

fedex
Fedex
ups
UPS
dhl
DHL
tnt
NTN
Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..

Garanzia Garanzia

Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.

Recensioni

You need to log in to reply. Registrazione | Iscrizione