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MT28EW256ABA1LJS-0SIT +BOM

56M-bit 3.3V TSOP Tray

Produttore:

Micron Technology Inc.
ProduttorePart #:

MT28EW256ABA1LJS-0SIT
Scheda dati:

MT28EW256ABA1LJS-0SIT Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.51
EDA/CAD Modelli:

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MT28EW256ABA1LJS-0SIT Descrizione generale

Micron's MT28EW256ABA1LJS-0SIT redefines the standards of memory technology with its advanced features and unparalleled performance. This NAND flash chip is a powerhouse in the realm of electronic devices, offering a massive 256 gigabits of storage space. The unique "ABA1LJS-0SIT" designation hints at the chip's specialized configurations and cutting-edge capabilities

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.51
Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day	Date Of Intro	2016-04-22
Access Time-Max	70 ns	Alternate Memory Width	8
JESD-30 Code	R-PDSO-G56	Length	18.4 mm
Memory Density	268435456 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	16	Number of Functions	1
Number of Terminals	56	Number of Words	16777216 words
Number of Words Code	16000000	Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Organization	16MX16	Parallel/Serial	PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Programming Voltage	3 V
Seated Height-Max	1.2 mm	Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	GULL WING
Terminal Pitch	0.5 mm	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Type	NOR TYPE
Width	14 mm	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	FLASH
Memory Size	256Mbit	Memory Organization	32M x 8, 16M x 16
Memory Interface	Parallel	Write Cycle Time - Word, Page	60ns
Access Time	75 ns	Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	MT28EW256

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