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BGAProduttore:
MICRON TECHNOLOGY INC
ProduttorePart #:
MT16HTF12864HY-667B3
Scheda dati:
Part Life Cycle Code:
Obsolete
ECCN Code:
EAR99
HTS Code:
8542.32.00.36
Access Time-Max:
0.45 ns
EDA/CAD Modelli:
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The MT16HTF12864HY-667B3 is a high-performance DDR DRAM module designed for demanding applications that require fast and reliable memory access. With a capacity of 128MBx64, this module is able to handle large amounts of data with ease
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.36 |
Access Time-Max | 0.45 ns | Clock Frequency-Max (fCLK) | 333 MHz |
I/O Type | COMMON | JESD-30 Code | R-PDMA-N200 |
Memory Density | 8589934592 bit | Memory IC Type | DDR DRAM MODULE |
Memory Width | 64 | Number of Terminals | 200 |
Number of Words | 134217728 words | Number of Words Code | 128000000 |
Operating Temperature-Max | 65 °C | Operating Temperature-Min | |
Organization | 128MX64 | Output Characteristics | 3-STATE |
Power Supplies | 1.8 V | Qualification Status | Not Qualified |
Refresh Cycles | 8192 | Standby Current-Max | 0.08 A |
Supply Current-Max | 3.36 mA | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8 V |
Surface Mount | NO | Technology | CMOS |
Temperature Grade | COMMERCIAL | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Pitch | 0.6 mm | Terminal Position | DUAL |
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Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
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MT16JTF51264AZ-1G4M1
MICRON TECHNOLOGY INC
DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 240UDIMM
DS1923-F5+
analog devices inc.
Boost system reliability with this secure and persistent memory module
DS1922T-F5
analog devices inc.
Reliable and compact datalogging solution for precision temperature measurements
MT8KTF51264AZ-1G9P1
MICRON TECHNOLOGY INC
Memory Modules DDR3 4GB UDIMM
MTA9ASF1G72PZ-2G6D1
MICRON TECHNOLOGY INC
Memory Module DDR4 SDRAM 8GB 288-RDIMM