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MMBZ12VALT1G +BOM

Dual Common Anode Zener Diode Protection

MMBZ12VALT1G Descrizione generale

In summary, the MMBZ12VALT1G product stands out as a practical and efficient solution for demanding applications requiring transient overvoltage protection. Its dual monolithic silicon Zener diodes, dual junction common anode design, and compact package make it a cost-effective choice for manufacturers looking to enhance the reliability of their products. Whether used in computers, printers, or communication systems, this product delivers the performance and peace of mind necessary for today's technology-driven world

Caratteristiche principali

  • High Power Rating up to 40W
  • Low Leakage Current
  • Esd Resistance of Class N (exceeding 16kV)

Applicazione

  • Temperature Sensor Interface
  • Output Voltage Adjustment
  • LED Driver Control

Specifiche

Source Content uid MMBZ12VALT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.10.00.50 Factory Lead Time 41 Weeks
Configuration COMMON ANODE, 2 ELEMENTS Diode Element Material SILICON
Diode Type TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE JEDEC-95 Code TO-236
JESD-30 Code R-PDSO-G3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2 Number of Terminals 3
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity UNIDIRECTIONAL
Surface Mount YES Technology ZENER
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Type Zener Unidirectional Channels 2
Voltage - Reverse Standoff (Typ) 8.5V Voltage - Breakdown (Min) 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp 17V Current - Peak Pulse (10/1000µs) 2.35A
Power - Peak Pulse 40W Power Line Protection No
Applications General Purpose Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Base Product Number MMBZ12

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