Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

MGD623N +BOM

Power transistor with a maximum power dissipation of 150W

Produttore:

Sanken Electric Co., Ltd
ProduttorePart #:

MGD623N
Scheda dati:

MGD623N Scheda dati (PDF)
Launch_date:

Jul 20, 2009
Last_inspection_date:

01 MAY 2023
Supplier_cage_code:

JSHD3
Schedule_b:

8541290080
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per MGD623N

E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

MGD623N Descrizione generale

IGBT 600 V 50 A 150 W Through Hole TO-3P

Specifiche

place		launch_date	Jul 20, 2009
last_inspection_date	01 MAY 2023	supplier_cage_code	JSHD3
htsusa		schedule_b	8541290080
ppap	False	aec
Series	-	IGBT Type	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V	Current - Collector (Ic) (Max)	50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	100 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 50A
Power - Max	150 W	Switching Energy	-
Input Type	Standard	Td (on/off) @ 25°C	75ns/300ns
Test Condition	300V, 50A, 39Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	300 ns
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	MGD623

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..