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LMV342IDGKR +BOM

High CMOS amplifier for wide dynamic range and low power consumptio

Produttore:

TI
ProduttorePart #:

LMV342IDGKR
Scheda dati:

LMV342IDGKR Scheda dati (PDF)
Number Of Channels:

2
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V):

5.5
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V):

2.5
Rail-to-rail:

In to V-, Out
EDA/CAD Modelli:

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LMV342IDGKR Descrizione generale

The LMV342IDGKR is a versatile operational amplifier suitable for a wide range of applications. With its low voltage, low power, and rail-to-rail output swing capabilities, it offers exceptional performance in a compact package. The PMOS input stage ensures extremely low input bias current and offset voltage, enhancing the overall accuracy of the amplifier

Caratteristiche principali

Excellent Dynamic Response
Improved Noise Rejection
Wide Input Range Available

Specifiche

Number of channels	2	Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)	5.5
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)	2.5	Rail-to-rail	In to V-, Out
GBW (typ) (MHz)	1	Slew rate (typ) (V/µs)	1
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)	4	Iq per channel (typ) (mA)	0.107
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)	39	Rating	Catalog
Operating temperature range (°C)	-40 to 125	Offset drift (typ) (µV/°C)	1.9
Input bias current (max) (pA)	200	CMRR (typ) (dB)	86
Iout (typ) (A)	0.075	Architecture	CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)	0	Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)	-0.8
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)	0.007	Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)	-0.007

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