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K6X1008C2D-TF55 +BOM

128K X 8 BIT LOW POWER FULL CMOS STATIC RAM

Produttore:

Samsung Semiconductor, Inc.
ProduttorePart #:

K6X1008C2D-TF55
Scheda dati:

K6X1008C2D-TF55 Scheda dati (PDF)
Packaging:

Tray
Programmable:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
EDA/CAD Modelli:

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K6X1008C2D-TF55 Descrizione generale

With its 4-bank architecture and burst mode support, the K6X1008C2D-TF55 ensures high-speed data transfer without compromising on reliability. Its flexible burst length options of 1, 2, 4, 8, and full page allow for seamless data access, while its low CAS latency of 2 guarantees optimal performance. Plus, with support for Programmable CAS Write Latency (1/1.5/2), you can customize your memory settings to suit your specific needs

Caratteristiche principali

Fast and reliable memory solution
High-speed static RAM for industrial use
Low power consumption for energy efficiency
Organized as 128K words by 8 bits architecture
High-reliability CMOS static RAM module
5V operating voltage with fast access time

Applicazione

High-capacity memory chip
Advanced automotive electronics
Reliable performance guaranteed

Specifiche

Packaging	Tray	Part Status	Obsolete
Programmable	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	SRAM	Technology	SRAM - Asynchronous
Memory Size	1Mbit	Memory Organization	128K x 8
Memory Interface	Parallel	Write Cycle Time - Word, Page	55ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..