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Vedi Specifiche Tecniche

K4B4G0846E-BYK0 +BOM

Produttore:

Samsung Electronics
ProduttorePart #:

K4B4G0846E-BYK0
Scheda dati:

K4B4G0846E-BYK0 Scheda dati (PDF)
ECCN (US):

EAR99
HTS:

8542.32.00.36
Automotive:

No
PPAP:

No
EDA/CAD Modelli:

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K4B4G0846E-BYK0 Descrizione generale

The K4B4G0846E-BYK0 is a specific model of electronic component known as a synchronous dynamic random-access memorymodule.

Caratteristiche principali

It is designed to operate at a speed of 1600 MHz (PC3-12800) and has a capacity of 4 gigabits (Gb).
The module utilizes a Double Data Rate 3 (DDR3) interface and has a 5V power supply.
It employs a x4 organization, which means it has four internal banks for efficient data storage and access.

Applicazione

The K4B4G0846E-BYK0 SDRAM module is commonly used in various electronic devices such as computers, laptops, and servers.
It serves as a primary memory component, providing data storage and retrieval capabilities for running software applications, storing files, and more.

Specifiche

ECCN (US)	EAR99	Part Status	LTB
HTS	8542.32.00.36	Automotive	No
PPAP	No	DRAM Type	DDR3L SDRAM
Chip Density (bit)	4G	Organization	512Mx8
Number of Internal Banks	8	Number of Words per Bank	64M
Number of Bits/Word (bit)	8	Data Bus Width (bit)	8
Maximum Clock Rate (MHz)	1600	Maximum Access Time (ns)	0.225
Address Bus Width (bit)	19	Minimum Operating Supply Voltage (V)	1.283\|1.425
Typical Operating Supply Voltage (V)	1.35\|1.5	Maximum Operating Supply Voltage (V)	1.45\|1.575
Operating Current (mA)	71	Minimum Operating Temperature (°C)	0
Maximum Operating Temperature (°C)	95	Supplier Temperature Grade	Commercial
Number of I/O Lines (bit)	8	Mounting	Surface Mount
PCB changed	78	Pin Count	78
Lead Shape	Ball

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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