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JAN1N5819UR-1 +BOM

DO-213AB (MELF, LL41) Schottky Diode rated for 45V and 1A in Surface Mount package

Produttore:

Microchip Technology
ProduttorePart #:

JAN1N5819UR-1
Scheda dati:

JAN1N5819UR-1 Scheda dati (PDF)
Technology:

Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

45 V
Current - Average Rectified (Io):

1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

490 mV @ 1 A
EDA/CAD Modelli:

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JAN1N5819UR-1 Descrizione generale

Diode 45 V 1A Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41)

Caratteristiche principali

JEDEC registered 1N5818, 1N5819 and 1N6761 numbers.

Hermetically sealed DO-41 glass package.

Metallurgically bonded.

*1N5819UR-1 and 1N6761UR-1 only are available

in JAN, JANTX, JANTXV and JANS qualifications

per MIL-PRF-19500/586.

(See part nomenclature for all available options.)

RoHS compliant versions available (commercial grade only).

Applicazione

Small size for high density mounting using

flexible thru-hole leads (see package illustration).

Low reverse (leakage) currents.

Non-sensitive to ESD per MIL-STD-750 test method 1020 (human body model).

Inherently radiation hard as described in Microsemi MicroNote 050.

Specifiche

Technology	Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	45 V
Current - Average Rectified (Io)	1A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	490 mV @ 1 A
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 45 V
Capacitance @ Vr, F	70pF @ 5V, 1MHz	Grade	Military
Qualification	MIL-PRF-19500/586	Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 125°C	Base Product Number	1N5819

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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