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Vedi Specifiche Tecniche

IXFM40N30 +BOM

Transistor IXFM40N30

Produttore:

Littelfuse
ProduttorePart #:

IXFM40N30
Scheda dati:

IXFM40N30 Scheda dati (PDF)
Drain-Source Voltage (V):

300
Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

0.088
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

40
Gate Charge (nC):

177
EDA/CAD Modelli:

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IXFM40N30 Descrizione generale

MOSFET, N, TO-3; Transistor type:MOSFET; Voltage, Vds typ:300V; Current, Id cont:40A; Resistance, Rds on:0.088ohm; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:4V; Case style:TO-3; Temperature, operating range:9453130; Case style, alternate:TO-204AA; Current, Idm pulse:160A; Pins, No. of:2; Power dissipation:300W; Power, Pd:300W; Resistance, Rds on max:0.088ohm; Temperature, current:25°C; Temperature, full power rating:25°C; Termination Type:Through Hole; Transistor polarity:N; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds max:300V; Voltage, Vgs th max:4V

Caratteristiche principali

International Standard Packages
High Current Handling Capability
Low R
DS(on)
HDMOS process
Avalanche Rated
Low Package Inductance
Fast intrinsic diode

Applicazione

DC-DC converters
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode power supplies
DC choppers
AC Motor Drives
Temperature and Lighting Controls
Advantages:
Easy to mount
Space savings
High power density

Specifiche

Drain-Source Voltage (V)	300	Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)	0.088
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)	40	Gate Charge (nC)	177
Input Capacitance, CISS (pF)	4800	Thermal resistance [junction-case] (K/W)	0.42
Configuration	Single	Power Dissipation (W)	298
Maximum Reverse Recovery (ns)	250	Sample Request	No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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