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IXEN60N120

IGBT Transistors 60 Amps 1200V

Produttore:

IXYS Corporation
ProduttorePart #:

IXEN60N120
Scheda dati:

IXEN60N120 Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

NPT
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

100 A
EDA/CAD Modelli:

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IXEN60N120 Descrizione generale

IGBT Module NPT Single 1200 V 100 A 445 W Chassis Mount SOT-227B

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	NPT	Configuration	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	100 A
Power - Max	445 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 60A
Current - Collector Cutoff (Max)	800 µA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	3.8 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	IXEN60	Product Category:	IGBT Transistors
Technology:	Si	Mounting Style:	SMD/SMT
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.1 V	Maximum Gate Emitter Voltage:	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Packaging:	Tube	Continuous Collector Current:	100 A
Continuous Collector Current Ic Max:	100 A	Height:	9.6 mm
Length:	38.2 mm	Product Type:	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:	10	Subcategory:	IGBTs
Width:	25.07 mm	Unit Weight:	1.058219 oz

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N**h 03/26/2024

Item received. all as in the description.

J**n 01/31/2021

Delivery 5 days. The description corresponds. Works.

M**a 10/31/2020

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C**a 02/16/2020

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