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IXDN614SI +BOM

High-speed gate drivers designed for low-side MOSFET operation at 14 amperes

Produttore:

IXYS Corporation
ProduttorePart #:

IXDN614SI
Scheda dati:

IXDN614SI Scheda dati (PDF)
Feature-packaging:

Tube
Feature-type:

IGBT|MOSFET
Feature-pin-count:

8
Feature-cecc-qualified:

No
EDA/CAD Modelli:

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IXDN614SI Descrizione generale

With its split output design, the IXDN614SI ensures that the input and output supplies remain separate, allowing for precise control over the gate drive voltage levels for the power device. Additionally, its integrated under voltage lockout (UVLO) protection circuit guarantees the gate driver's functionality even when voltage levels are low, providing an added layer of security and reliability in operation

Specifiche

feature-maximum-power-dissipation-mw		feature-packaging	Tube
feature-type	IGBT\|MOSFET	feature-rad-hard
feature-pin-count	8	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection	Yes	feature-military	No
feature-aec-qualified	Yes	feature-aec-qualified-number	AEC-Q100
feature-auto-motive	Yes	feature-p-pap
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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