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IRFB4115 +BOM

Enhanced gate and dynamic dv/dt ruggedness for improved efficiency

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRFB4115
Scheda dati:

IRFB4115 Scheda dati (PDF)
Polarity:

N
RthJC Max:

0.4 K/W
Tj Max:

175.0 °C
VDS Max:

150.0 V
EDA/CAD Modelli:

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IRFB4115 Descrizione generale

Meet the IRFB4115, the power MOSFET that's built to tackle the toughest challenges in low frequency applications. Designed for optimal performance and reliability, this device is a go-to solution for projects involving DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. With its low RDS(on) and high current capability, the IRFB4115 delivers the power and efficiency needed to keep your designs running smoothly

Specifiche

Polarity	N	RthJC max	0.4 K/W
Tj max	175.0 °C	VDS max	150.0 V
Mounting	THT	Ptot max	380.0 W
VGS max	20.0 V	RDS (on) max	11.0 mΩ
VGS(th) max	5.0 V	VGS(th) min	3.0 V
ID max	104.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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