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IRFB4019 +BOM

The IRFB4019 transistor datasheet provides detailed parameters and characteristics

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRFB4019
Scheda dati:

IRFB4019 Scheda dati (PDF)
Polarity:

N
VDS Max:

150.0 V
VGS Max:

20.0 V
Mounting:

THT
EDA/CAD Modelli:

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IRFB4019 Descrizione generale

Meet the IRFB4019 power MOSFET – a game-changer in the world of low frequency applications. With its impressive combination of low RDS(on) and high current capability, this device is engineered to excel in demanding environments where performance and durability are paramount. Whether you're working on DC motors, battery management systems, inverters, or DC-DC converters, the IRFB4019 offers a comprehensive range of solutions to meet your specific requirements. Trust in the power of the IRFB4019 to take your projects to new heights of efficiency and reliability

Specifiche

Polarity	N	VDS max	150.0 V
VGS max	20.0 V	Mounting	THT
RthJC max	1.88 K/W	Ptot max	80.0 W
Tj max	175.0 °C	RDS (on) max	95.0 mΩ
VGS(th) max	4.9 V	VGS(th) min	3.0 V
ID max	17.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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