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IGC50T120T8RQX1SA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 1200 V Surface Mount Die

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

IGC50T120T8RQX1SA1
Scheda dati:

IGC50T120T8RQX1SA1 Scheda dati (PDF)
IGBT Type:

Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm):

150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:

2.42V @ 15V, 50A
EDA/CAD Modelli:

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IGC50T120T8RQX1SA1 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 1200 V Surface Mount Die

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Positive temperature coefficient
Easy paralleling

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	-
IGBT Type	Trench Field Stop	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)	150 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.42V @ 15V, 50A
Switching Energy	-	Input Type	Standard
Td (on/off) @ 25°C	-	Test Condition	-
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	IGC50T120
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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