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FMB2222A +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 500mA 300MHz 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FMB2222A
Scheda dati:

FMB2222A Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelli:

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FMB2222A Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 500mA 300MHz 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Caratteristiche principali

- Dual NPN transistor array
- Surface mount configuration
- Maximum collector-emitter voltage of 30V
- Maximum collector-emitter saturation voltage of 0.2V
- Maximum emitter-base voltage of 5V
- Maximum collector current of 500mA
- Maximum power dissipation of 500mW
- Minimum DC collector-base gain of 100
- Operating temperature junction of 150°C

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	700 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FMB2222A
Continuous Collector Current	500 mA	DC Current Gain hFE Max	300
Height	1 mm	Length	3 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.7 mm	Part # Aliases	FMB2222A_NL
Unit Weight	0.001058 oz

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