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Vedi Specifiche Tecniche

FLL357ME +BOM

Gallium Arsenide Junction Field-Effect Transistor for L-Band Applicatio

Produttore:

Sumitomo Electric Device Innovations Inc
ProduttorePart #:

FLL357ME
Scheda dati:

FLL357ME Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

2
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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FLL357ME Descrizione generale

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE ME, 2 PIN

Caratteristiche principali

High Output Power: P1dB=35.5dBm (Typ.)
High Gain: G1dB-11.5dB (Typ.)
High PAE: ηadd=46% (Typ.)
Proven Reliability
Hermetically Sealed Package

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	2	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	15 V
FET Technology	JUNCTION	Highest Frequency Band	L BAND
JESD-30 Code	R-CDFM-F2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	DEPLETION MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

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