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Vedi Specifiche Tecniche

FDMS6681Z +BOM

681Z is NTMFS005P03P8ZT1G

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

FDMS6681Z
Scheda dati:

FDMS6681Z Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
EDA/CAD Modelli:

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FDMS6681Z Descrizione generale

P-Channel 30 V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Caratteristiche principali

Max r_DS(on) = 3.2 mΩ at V_GS = -10 V, I_D = -21.1 A
Max r_DS(on) = 5.0 mΩ at V_GS = -4.5 V, I_D = -15.7 A
Advanced Package and Silicon combination for low r_DS(on) and high efficiency
HBM ESD protection level of 8kV typical (Note 3)
MSL1 robust package design
RoHS Compliant

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	21.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.2 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	241 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2.5 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDMS6681Z
Configuration	Single	Fall Time	197 ns
Height	1.1 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	38 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	260 ns
Typical Turn-On Delay Time	15 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.002402 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..