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ESH1DM +BOM

Diode 200 V 1A Surface Mount Micro SMA

Produttore:

Taiwan Semiconductor
ProduttorePart #:

ESH1DM
Scheda dati:

ESH1DM Scheda dati (PDF)
Technology:

Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

200 V
Current - Average Rectified (Io):

1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:

1.5 V @ 1 A
EDA/CAD Modelli:

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ESH1DM Descrizione generale

Diode 200 V 1A Surface Mount Micro SMA

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	-
Technology	Standard	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200 V
Current - Average Rectified (Io)	1A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 1 A
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	25 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 200 V	Capacitance @ Vr, F	3pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
feature-type	Switching Diode	feature-material
feature-configuration	Single	feature-peak-reverse-repetitive-voltage-v	200
feature-maximum-continuous-forward-current-a	1	feature-peak-non-repetitive-surge-current-a	15
feature-peak-forward-voltage-v	1.5	feature-peak-reverse-current-ua	1
feature-maximum-junction-ambient-thermal-resistance		feature-maximum-diode-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw		feature-peak-reverse-recovery-time-ns	25
feature-packaging		feature-rad-hard
feature-pin-count	2	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	Yes

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