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EL357N-G +BOM

Optocouplers Featuring 3750Vrms Isolation Voltage and Temperature Operation from -55 to +100 Degrees

Produttore:

Everlight Electronics Co Ltd
ProduttorePart #:

EL357N-G
Scheda dati:

EL357N-G Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

High-speed, low-loss gate driver for SiC and Si MOSFETs
Operates at high temperatures up to 125°C
Wide input voltage range of 9 V to 25 V
Under-voltage lockout protection provided
Peak output drive current up to 6 A

Applicazione

The EL357N-G phototransistor photocoupler can be used in applications such as signal transmission
noise isolation
power supply regulation
and motor control

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.40.80.00	Additional Feature	UL APPROVED
Configuration	SINGLE	Mounting Feature	SURFACE MOUNT
Number of Elements	1	Optoelectronic Device Type	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
Surface Mount	YES	Product Category	Transistor Output Optocouplers
Mounting Style	SMD/SMT	Number of Channels	1 Channel
Isolation Voltage	3750 Vrms	Output Type	NPN Phototransistor
Current Transfer Ratio - Min	50 %	Current Transfer Ratio - Max	600 %
If - Forward Current	50 mA	Vf - Forward Voltage	1.4 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V	Maximum Collector Current	50 mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	200 mV	Rise Time	18 us
Fall Time	18 us	Vr - Reverse Voltage	6 V
Pd - Power Dissipation	200 mW	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 110 C	Current Transfer Ratio	50 %
Product Type	Transistor Output Optocouplers	Factory Pack Quantity	100
Subcategory	Optocouplers	Unit Weight	0.002822 oz

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