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EE-SY1200 product description: Equipped with a photoelectric sensor configured for diffuse-reflective operation with DARK-ON feature
4-SMD, No LeadProduttore:
Omron
ProduttorePart #:
EE-SY1200
Scheda dati:
Sensing Distance:
4 mm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
30 V
Maximum Collector Current:
20 mA
Vf - Forward Voltage:
1.2 V
EDA/CAD Modelli:
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Whether you're working on a commercial electronics project or a DIY endeavor, the EE-SY1200 is a versatile and high-performing component that delivers exceptional results. Its fast response time, high voltage and current ratings, and compact design make it an ideal choice for designers and engineers looking for a photo interrupter reflective transistor that meets their high standards for performance and reliability
Product Category | Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output | Sensing Distance | 4 mm |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V | Maximum Collector Current | 20 mA |
Vf - Forward Voltage | 1.2 V | Vr - Reverse Voltage | 4 V |
Minimum Operating Temperature | - 25 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
Mounting Style | SMD/SMT | Series | EE-SY1200 |
Fall Time | 30 us | Height | 1.9 mm |
If - Forward Current | 20 mA | Length | 3.2 mm |
Number of Channels | 1 Channel | Output Type | Phototransistor |
Pd - Power Dissipation | 50 mW | Product Type | Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output |
Rise Time | 30 us | Sensing Method | Reflective |
Factory Pack Quantity | 2000 | Subcategory | Optical Switches |
Termination Style | SMD/SMT | Wavelength | 940 nm |
Width | 1.1 mm | Part # Aliases | EESY1200 |
Unit Weight | 0.004898 oz |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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STAR-1000
CYPRESS
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STAR-250
CYPRESS
Image Sensors 0.25M Pixel Rad-Hard CMOS Image Sensor
QRD1114
Onsemi
1.27mm Plugin Reflective Optical Interrupters ROHS
OPT101
TL/BB
Monolithic Photodiode and Single-Supply Transimpedance Amplifier
C2750
Intel Corporation
Efficiently handles complex calculations with precision accuracy