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DMN10H700S-7 +BOM

MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

DMN10H700S-7
Scheda dati:

DMN10H700S-7 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

104 Weeks
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

DMN10H700S-7 Descrizione generale

MOSFET, N-CH, 100V, 0.7A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 700mA; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 400mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Caratteristiche principali

HIGH RELIABILITY

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	104 Weeks
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	0.7 A
Drain-source On Resistance-Max	0.7 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Reference Standard	AEC-Q101
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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