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CY62177G30-55BAXI +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mbit Parallel 55 ns 48-FBGA (8x9.5)

CY62177G30-55BAXI Descrizione generale

SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mbit Parallel 55 ns 48-FBGA (8x9.5)

Infineon Technologies Corporation inventario
Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory Series MoBL®
Memory Type Volatile Memory Format SRAM
Technology SRAM - Asynchronous Memory Size 32Mbit
Memory Organization 4M x 8, 2M x 16 Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word, Page 55ns Access Time 55 ns
Voltage - Supply 2.2V ~ 3.6V Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Base Product Number CY62177
feature-organization feature-minimum-operating-supply-voltage-v
feature-maximum-access-time-ns feature-process-technology
feature-maximum-operating-supply-voltage-v feature-maximum-operating-current-ma
feature-packaging feature-rad-hard
feature-pin-count 48 feature-cecc-qualified
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code 3A991.b.2.a feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold No

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