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CY62158GE30-45BVXI +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 45 ns 48-VFBGA (6x8)

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

CY62158GE30-45BVXI
Scheda dati:

CY62158GE30-45BVXI Scheda dati (PDF)
Series:

MoBL®
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous

CY62158GE30-45BVXI Descrizione generale

SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 45 ns 48-VFBGA (6x8)

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	MoBL®
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	8Mbit
Memory Organization	1M x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	45ns	Access Time	45 ns
Voltage - Supply	2.2V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY62158
RHoS	yes	PBFree	yes
feature-organization		feature-minimum-operating-supply-voltage-v	2.2
feature-maximum-access-time-ns	45	feature-process-technology	65nm, CMOS
feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6	feature-maximum-operating-current-ma	25
feature-packaging	Bulk	feature-rad-hard
feature-pin-count	48	feature-cecc-qualified
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	3A991.b.2.a	feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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