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Vedi Specifiche Tecniche

CY62136EV30LL-45ZSXI +BOM

45 nanosecond access time

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

CY62136EV30LL-45ZSXI
Scheda dati:

CY62136EV30LL-45ZSXI Scheda dati (PDF)
Memory Size:

2 Mbit
Organization:

128 k x 16
Access Time:

45 ns
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelli:

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CY62136EV30LL-45ZSXI Descrizione generale

In conclusion, the CY62136EV30LL-45ZSXI is a must-have for those in need of a high-performance, low-power memory solution. Its innovative design, energy-saving features, and impressive speed make it a standout choice in the semiconductor industry. With Cypress Semiconductor's reputation for quality and reliability backing it up, this memory chip is sure to meet and exceed the expectations of engineers and designers working on the cutting edge of technology

Caratteristiche principali

High speed
— 55 ns
Temperature Ranges
— Industrial: –40°C to 85°C
— Automotive: –40°C to 125°C
Wide voltage range
— 2.7V – 3.6V
Ultra-low active, standby power
Easy memory expansion with CE and OE features
TTL-compatible inputs and outputs
Automatic power-down when deselected
CMOS for optimum speed/power
Available in a Pb-free and non Pb-free 44-pin TSOP
Type II (forward pinout) and 48-ball FBGA packages

Specifiche

Product Category	SRAM	Memory Size	2 Mbit
Organization	128 k x 16	Access Time	45 ns
Maximum Clock Frequency	-	Interface Type	Parallel
Supply Voltage - Max	3.6 V	Supply Voltage - Min	2.2 V
Supply Current - Max	20 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Mounting Style	SMD/SMT
Memory Type	Volatile	Moisture Sensitive	Yes
Number of Ports	1	Product Type	SRAM
Series	CY62136EV30LL	Factory Pack Quantity	675
Subcategory	Memory & Data Storage	Tradename	MoBL
Type	Asynchronous	Unit Weight	0.016014 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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