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CY15B104QN-50SXI +BOM

Designed to operate at 2.5V or 3.3V

CY15B104QN-50SXI Descrizione generale

The CY15B104QN-50SXI from Cypress Semiconductor Corporation is a cutting-edge non-volatile memory device that boasts impressive features suitable for a wide range of applications. With a capacity of 4Mb and a fast 50 ns access time, this Parallel NOR Flash Memory ensures quick and efficient access to stored data. Its compatibility with a single 2.7V to 3.6V power supply makes it versatile and cost-effective for various electronic devices

Infineon Technologies Corporation inventario
Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory Series Automotive, AEC-Q100, Excelon™-Auto, F-RAM™
Memory Type Non-Volatile Memory Format FRAM
Technology FRAM (Ferroelectric RAM) Memory Size 4Mbit
Memory Organization 512K x 8 Memory Interface SPI
Clock Frequency 50 MHz Write Cycle Time - Word, Page -
Voltage - Supply 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Base Product Number CY15B104
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes feature-organization 512Kx8
feature-minimum-operating-supply-voltage-v 1.8 feature-maximum-access-time-ns 20
feature-process-technology feature-maximum-operating-supply-voltage-v 3.6
feature-maximum-operating-current-ma 3.7 feature-packaging Standard
feature-rad-hard feature-pin-count 8
feature-cecc-qualified feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code 3A991.b.1.b.2
feature-svhc feature-svhc-exceeds-threshold No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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Valutazioni e recensioni

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I**a 10/24/2023

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J**n 04/23/2021

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