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CY14B104NA-BA45XE +BOM

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 48-FBGA (6x10)

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

CY14B104NA-BA45XE
Scheda dati:

CY14B104NA-BA45XE Scheda dati (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Size:

4Mbit
EDA/CAD Modelli:

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CY14B104NA-BA45XE Descrizione generale

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 48-FBGA (6x10)

Infineon Technologies Corporation inventario

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Specifiche

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	45ns	Access Time	45 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CY14B104
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	feature-organization	256Kx16
feature-process-technology		feature-minimum-operating-supply-voltage-v	3
feature-maximum-access-time-ns	45	feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6
feature-maximum-operating-current-ma	65	feature-packaging	Tray
feature-rad-hard		feature-pin-count	48
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q100	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap		feature-eccn-code	3A991.b.2.a
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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