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CY14B104L-BA20XI +BOM

Compact and efficient SRAM for portable device

  • Produttore:

    Cypress Semiconductor Corp

  • ProduttorePart #:

    CY14B104L-BA20XI

  • Scheda dati:

    CY14B104L-BA20XI Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Programmabe:

    Not Verified

  • Memory Type:

    Non-Volatile

  • Memory Format:

    NVSRAM

  • Technology:

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

CY14B104L-BA20XI Descrizione generale

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mbit Parallel 20 ns 48-FBGA (6x10)

Specifiche

Series - Programmabe Not Verified
Memory Type Non-Volatile Memory Format NVSRAM
Technology NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Size 4Mbit
Memory Organization 512K x 8 Memory Interface Parallel
Write Cycle Time - Word, Page 20ns Access Time 20 ns
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Base Product Number CY14B104

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