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CY10E422L-7DC +BOM

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Kbit Parallel 7 ns 24-SBDIP

Produttore:

Cypress Semiconductor Corp
ProduttorePart #:

CY10E422L-7DC
Scheda dati:

CY10E422L-7DC Scheda dati (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
EDA/CAD Modelli:

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CY10E422L-7DC Descrizione generale

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Kbit Parallel 7 ns 24-SBDIP

Specifiche

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	1Kbit
Memory Organization	256 x 4	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	7ns	Access Time	7 ns
Voltage - Supply	4.94V ~ 5.46V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	CY10E422

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