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CRD5AS-12B-T13#B00 +BOM

Reverse Conducting Thyristor Medium Power Use

Produttore:

Renesas Electronics Corporation
ProduttorePart #:

CRD5AS-12B-T13#B00
Scheda dati:

CRD5AS-12B-T13#B00 Scheda dati (PDF)
Voltage - Off State:

600 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max):

800 mV
Current - Gate Trigger (Igt) (Max):

100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max):

1.8 V
EDA/CAD Modelli:

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CRD5AS-12B-T13#B00 Descrizione generale

SCR 600 V 7.8 A Sensitive Gate Surface Mount MP-3A

Caratteristiche principali

I_{T (AV)} : 5 A
V_DRM : 600 V
I_GT: 100 μA
T_j : 150ºC
Built-in reverse conducting diode
Planar Passivation Type
RoHS Compliant

Specifiche

Series	-	Voltage - Off State	600 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	800 mV	Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max)	1.8 V	Current - On State (It (AV)) (Max)	5 A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	7.8 A	Current - Hold (Ih) (Max)	3 mA
Current - Off State (Max)	2 mA	Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	90A @ 60Hz
SCR Type	Sensitive Gate	Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	CRD5AS-12

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