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Vedi Specifiche Tecniche

BV1LE040EFJ-CE2 +BOM

Compact SOIC-8 package size for space-saving installation

Produttore:

ROHM Semiconductor
ProduttorePart #:

BV1LE040EFJ-CE2
Scheda dati:

BV1LE040EFJ-CE2 Scheda dati (PDF)
Type:

Low Side
Number Of Outputs:

1 Output
Output Current:

4.5 A
Current Limit:

25 A
EDA/CAD Modelli:

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BV1LE040EFJ-CE2 Descrizione generale

In summary, the BV1LE040EFJ-CE2 stands out as a top-tier electronic component that excels in power management applications. Its compact size, lightweight design, and impressive power handling capabilities make it a versatile solution for a wide range of devices. With energy-efficient operation, advanced protection features, RoHS compliance, and wide temperature range operation, this component offers a comprehensive set of benefits that cater to the needs of modern electronic systems

Caratteristiche principali

Built-in Dual TSD(This IC has thermal shutdown(Junction temperature detect) and ΔTj Protection(Power-MOS steep temperature rising detect))
AEC-Q100 Qualified(Grade1)
Built-in Over Current Protection Function(OCP)
Built-in Active Clamp Function
Direct Control Enabled from CMOS Logic IC, etc.
On Resistance R
DS(ON)
IN
OUT
Monolithic Power Management IC with the Control Block(CMOS) and Power MOS FET Mounted on a Single Chip

Specifiche

Product Category:	Power Switch ICs - Power Distribution	Type:	Low Side
Number of Outputs:	1 Output	Output Current:	4.5 A
Current Limit:	25 A	On Resistance - Max:	52 mOhms
On Time - Max:	100 us	Off Time - Max:	130 us
Operating Supply Voltage:	5 V	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Packaging:	Reel	Product:	Switch ICs
Product Type:	Power Switch ICs - Power Distribution	Factory Pack Quantity:	2500
Subcategory:	Switch ICs	Supply Voltage - Max:	5.5 V
Supply Voltage - Min:	3 V	Part # Aliases:	BV1LE040EFJ-C

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