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Vedi Specifiche Tecniche

BSP75NHUMA1 +BOM

Smart SIPMOS technology power FET in PG-SOT223-4-4 package

Produttore:

Infineon Technologies Corporation
ProduttorePart #:

BSP75NHUMA1
Scheda dati:

BSP75NHUMA1 Scheda dati (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

no
Type:

Low Side
EDA/CAD Modelli:

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BSP75NHUMA1 Descrizione generale

The BSP75NHUMA1 is a versatile N channel vertical power FET that utilizes Smart SIPMOS technology to deliver reliable performance in a range of applications. With embedded protection functions, this FET is fully protected against various potential hazards, ensuring long-term durability and stability

Infineon Technologies Corporation inventario

Caratteristiche principali

Rugged and reliable construction
Excellent temperature range
Low thermal impedance

Infineon Technologies Corporation Stock originale

Applicazione

RF signal processing
Servo motor drives
DC voltage regulators

Specifiche

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Product Category	Power Switch ICs - Power Distribution
Type	Low Side	Number of Outputs	1 Output
Output Current	700 mA	Current Limit	1.5 A
On Resistance - Max	550 mOhms	On Time - Max	20 us
Off Time - Max	20 us	Operating Supply Voltage	-
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Series	HITFET
Qualification	AEC-Q100	Moisture Sensitive	Yes
Pd - Power Dissipation	1.8 W	Product	Power Switches
Product Type	Power Switch ICs - Power Distribution	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	Switch ICs	Supply Voltage - Max	10 V
Supply Voltage - Min	- 200 mV	Tradename	HITFET
Part # Aliases	BSP75N SP000305171	Unit Weight	0.003951 oz

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