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BLF2425M9L30U +BOM

Low-Phase Noise Device for Wireless Communication Needs

BLF2425M9L30U Descrizione generale

The BLF2425M9L30U is a LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) RF transistor module designed for high-power applications in the frequency range of 2400-2500 MHz. It combines a power amplifier with input and output matching circuits, providing a complete solution for RF power amplification.

Caratteristiche principali

  • Frequency Range: 2400-2500 MHz
  • Output Power: Up to 30 Watts
  • High Power Gain
  • High Efficiency
  • Integrated Input and Output Matching
  • Compact Module Design
  • RoHS Compliant

Applicazione

  • Wi-Fi Access Points
  • Wireless Communication Systems
  • Radar Systems
  • Industrial Heating Systems
  • Wireless Power Transmission

Specifiche

Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsRF FETs, MOSFETs Series -
Technology LDMOS Frequency 2.45GHz
Gain 18.5dB Voltage - Test 32 V
Current Rating (Amps) - Noise Figure -
Current - Test 20 mA Power - Output 30W
Voltage - Rated 65 V Mounting Type Chassis Mount
Base Product Number BLF2425

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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Garanzia Garanzia

Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.

Valutazioni e recensioni

Di più
J
J**a 06/10/2023

Looks fine, haven't tested it yet.

13
H
H**r 03/13/2023

Delivery to voronezh for 25 days. Leds working. I will add a review of the installation post to the plafond.

17
S
S**l 08/01/2020

Thank you. Quality fee. Seller recommend

5
A
A**a 06/27/2020

When the input voltage is 12 v, the output voltage is 5 v, and the current consumption is 0.9 a, the temperature stabilized after 15 minutes at 50 degrees for the throttle, and 52 degrees for the chip.For all boards, except two, it is characteristic, with an increase in the current from 500 ma to 1 a, first a small voltage drop, and then growth, from 0.1 to 0.2 v, from the entry level.

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