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BD5225G-TR +BOM

Fixed voltage power supply circuit

BD5225G-TR Descrizione generale

With a focus on power efficiency, the BD5225G-TR N-channel MOSFET transistor offers impressive performance characteristics. Its 25V drain-source voltage and 6A continuous drain current, combined with a low on-resistance of 75mΩ, make it an efficient choice for power management. The surface-mount DFN3030-8 package enhances thermal and electrical performance, further adding to its reliability in various applications

Caratteristiche principali

  • 1)  Detection voltage: 2.3V to 6.0V (Typ.), 0.1V steps
  • 2)  High accuracy detection voltage: ±1.0%
  • 3)  Ultra-low current consumption: 0.8µA (Typ.)
  • 4)  Nch open drain output (BD52G/FVE), CMOS output (BD53G/FVE)
  • 5)  Compact packages  VSOF5: BD52FVE, BD53FVE
  • SSOP5: BD52G, BD53G

Specifiche

Programmabe Not Verified Type Voltage Detector
Number of Voltages Monitored 1 Voltage - Threshold 2.5V
Output Open Drain or Open Collector Reset Active Low
Reset Timeout - Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type Surface Mount

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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