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BAS40DW-04 +BOM

ULTRA SMALL plastic-packaged diode with a voltage rating of 40V

BAS40DW-04 Descrizione generale

With a forward continuous current of 200 mA and a peak repetitive forward current of 600 mA, the BAS40DW-04 offers reliable handling of moderate current loads. Its fast switching speed, with a typical reverse recovery time of 5 nanoseconds, ensures efficient operation in high-frequency circuits, making it an ideal choice for applications requiring rapid response times

DIODES INC inventario

Caratteristiche principali

  • The BAS40DW-04 Schottky barrier diode has a forward voltage drop of 0.38 V at 10 mA
  • It is suitable for high-speed switching applications due to its low leakage current and fast switching times
    • Maximum reverse voltage is 40 V and forward current is up to 200 mA
DIODES INC Stock originale

Applicazione

  • Steering applications
  • RF detection
  • Low drop
DIODES INC inventario

Specifiche

Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.10.00.70
Configuration 2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS Diode Element Material SILICON
Diode Type RECTIFIER DIODE Forward Voltage-Max (VF) 1 V
JESD-30 Code R-PDSO-G6 JESD-609 Code e0
Number of Elements 4 Number of Terminals 6
Operating Temperature-Max 125 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Output Current-Max 0.2 A Power Dissipation-Max 0.2 W
Rep Pk Reverse Voltage-Max 40 V Reverse Current-Max 0.2 µA
Reverse Recovery Time-Max 0.005 µs Surface Mount YES
Technology SCHOTTKY Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Diode Configuration 2 Pair Series Connection Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40 V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200mA (DC) Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 40 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 5 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 nA @ 30 V Operating Temperature - Junction -55°C ~ 125°C
Mounting Type Surface Mount Base Product Number BAS40

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